1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 说明文书

CN119663431A 一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法 （北京天科合达半导体股份有限公司）.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.29万字
  • 约 12页
  • 2026-04-06 发布于重庆
  • 举报

CN119663431A 一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法 （北京天科合达半导体股份有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119663431A

    (43)申请公布日2025.03.21

    (21)申请号202510145303.0

    (22)申请日2025.02.10

    (71)申请人北京天科合达半导体股份有限公司

    地

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >