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Fe掺杂及磁性离子基团植入对铋层状薄膜电磁性能影响的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对高性能电磁材料的需求日益迫切。铋层状薄膜作为一种具有独特晶体结构和物理性能的功能材料，在非易失性铁电存储器、高温压电陶瓷、传感器以及微波器件等电子领域展现出了广阔的应用前景。其具有反转速度快、抗疲劳性能好、较高的铁电居里温度以及不含铅污染等优点，符合当前绿色环保和高性能材料的发展趋势。

然而，典型的铋层状材料如Bi_4Ti_3O_{12}（BIT）和SrBi_4Ti_4O_{15}（SBTi）等，由于自发极化被限制在ab平面内，存在剩余极化小、压电活性低等不足，这在很大程度上限制了它们在一些高端领域的应用，尚不能完全取代目前工业上广泛使用的Pb(Zr,Ti)O_3（PZT）来满足工业化生产高密度存储器和高性能压电传感器的需求。为了拓展铋层状薄膜的应用范围并提升其性能，对其进行改性研究显得尤为重要。

在众多改性方法中，Fe掺杂及磁性离子基团植入是近年来备受关注的研究方向。Fe元素具有独特的电子结构和磁性特性，通过将Fe引入铋层状薄膜晶格中，可以改变其晶体结构、电子云分布以及内部的电荷传输机制，从而对其电磁性能产生显著影响。一方面，Fe掺杂可能会调整铋层状薄膜的铁电畴结构和畴壁运动，进而影响其铁电性能，如剩余极化强度和矫顽场等；另一方面，Fe的