ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究.docx

研究报告

PAGE

1-

ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

一、ITO靶材概述

1.ITO靶材的物理化学性质

(1)ITO靶材，即氧化铟锡（IndiumTinOxide），是一种具有优异光学、电学和机械性能的透明导电氧化物。其物理化学性质主要体现在其晶体结构、电子能带结构以及化学稳定性等方面。ITO的晶体结构为立方晶系，具有钙钛矿结构，晶格常数为0.815nm。在电子能带结构上，ITO具有导带和价带，其中导带位于禁带底部，价带位于禁带顶部，禁带宽度约为3.0eV。这种能带结构使得ITO具有很高的电子迁移率，可达10^4cm^2/V·s，远高于传统的金属氧化物如S