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N-通道逻辑电平MOSFET 60V 80A 7mΩ特性与应用.pdf

N-通道逻辑电平MOSFET 60V 80A 7mΩ特性与应用.pdf

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    FDB5800

    N‑通道逻辑电平PowerTrench®

    MOSFET60V,80A,7mΩ

    特性

    „rDS(ON)=5.5mΩ(典型)，VGS=5V，ID=80A„采用

    高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻„低栅极电荷„高功

    率和电流处理能力„符合RoHS

    应用电机负载控制„

    “DC‑DC转换器和离线UPS

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