CN120111929A 高速纵向GaN开关器件及其制备方法 (无锡博通微电子技术有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-08 发布于重庆
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CN120111929A 高速纵向GaN开关器件及其制备方法 (无锡博通微电子技术有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120111929A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510155912.4

(22)申请日2025.02.12

(71)申请人无锡博通微电子技术有限公司

地址214000江苏省无锡市滨湖区建筑西

路777号A3幢15层1502

(72)发明人冯开勇王刚杨光

(74)专利代理机构深圳市恒程创新知识产权代

理有限公司44542

专利代理师许会娟

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

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