CN120152362A 一种金属栅极的制备方法 (重庆芯联微电子有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-08 发布于重庆
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CN120152362A 一种金属栅极的制备方法 (重庆芯联微电子有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120152362A

(43)申请公布日2025.06.13

(21)申请号202510150930.3

(22)申请日2025.02.11

(71)申请人重庆芯联微电子有限公司

地址401331重庆市沙坪坝区高新区西永

街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153

(72)发明人林昭宏黄仁德

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图4

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