第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目可行性研究报告.docx

第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目可行性研究报告

项目总论

项目名称及建设性质

项目名称

第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目

项目建设性质

本项目属于新建高新技术产业项目，专注于第三代半导体碳化硅衬底的研发、生产与销售，旨在打造具备规模化、智能化生产能力的产业化基地，填补区域内高端碳化硅衬底产能空白，推动半导体产业向高附加值领域升级。

项目占地及用地指标

本项目规划总用地面积60000平方米（折合约90亩），建筑物基底占地面积42000平方米；规划总建筑面积72000平方米，其中生产车间面积50000平方米、研发中心面积8000平方米、办公用房5000平方米、职工宿舍及配套设施6