可编程器件设计_V2.0.pptVIP

可编程器件设计概述发展历程设计方法器件选型VerilogHDL设计案例一、概述设计制造成本比较二、可编程器件的发展历程PLD的雏形早期的PLD现在的PLDPLD的发展方向2.1PLD的雏形PROM，可编程只读存储器；EPROM，紫外线可擦除EPROM；EEPROM，电可擦除EPROM；FLASHMEMORY。PROM熔丝型PROM存储单元由三极管和穿在发射极的快速熔断丝组成，写入数据时只需要将存入0的那些存储单元上的熔丝烧断就行了。EEPROMEEPROM的存储单元采用了浮栅隧道氧化层MOS管，可以实现电可擦除。由于擦除和写入时需要加高电压脉冲，而且擦、写时间较长，所以EEPROM大多数情况下做ROM用。图4、EEPROM存储单元的三种工作状态（a）读出（b）擦除写1（c）写入写0FLASHMEMORYFLASHMEMORY同EEPROM一样，都是应用隧道效应进行；FLASH存储单元减少了一个MOS管，增加了集成度；2.2早期的PLDPAL可编程阵列逻辑GAL通用阵列逻辑PLA可编程逻辑阵列PALPAL是MMI公司70年代末的产品，它采用双极型熔丝工艺制作。由可编程与逻辑阵列、固定的或逻辑阵列和输出电路三部分组成；GALLATTICE于1985年首先推出GAL，采用EEPROM工艺，EP