2026年器件物理复试题及答案.docVIP

2026年器件物理复试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体中杂质能级位于禁带中靠近导带底的是（）

A.受主杂质B.施主杂质C.两性杂质D.中性杂质

2.热平衡时，半导体中电子浓度和空穴浓度的乘积（）

A.与温度无关B.与杂质浓度有关C.是一个常数D.随光照变化

3.金属与n型半导体形成欧姆接触的条件是（）

A.金属功函数大于半导体功函数B.金属功函数小于半导体功函数

C.金属与半导体之间有绝缘层D.金属与半导体之间有肖特基势垒

4.PN结的耗尽层宽度随反向偏压的增大而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

5.晶体管的电流放大系数β是指（）

A.集电极电流与基极电流之比B.发射极电流与基极电流之比

C.集电极电流与发射极电流之比D.基极电流与集电极电流之比

6.MOSFET的阈值电压与以下哪个因素无关（）

A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂浓度C.沟道长度D.栅极材料功函数

7.以下哪种效应会导致MOSFET的沟道长度调制效应（）

A.热载流子效应B.短沟道效应C.漏致势垒降低效应D.以上都不是

8.发光二极管（LED）发光的原理是（）

A.热辐射B.受激辐射C.