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InN材料的发展研究文献综述

1.1InN材料的研究背景

半导体材料作为国民经济、发展社会和建设国防的基石，在通信技术、计算机网络、智能家电等领域发挥着非常重要的作用，是电力电子器件，集成电路等制作的基本材料。眼下人们着力研究的信息、光电、传感器等技术产业，都或多或少的存在着半导体的身影。因此其有着不可估量的应用前景，同时还有着重要的战略意义REF_Re\r\h[1]。

半导体材料的发展我们可以把它划分为三个阶段，分别为20世纪40年代末的第一阶段，50年代末的第二阶段，60年代开始，70年代初形成的第三阶段。第一阶段的代表材料为硅、锗等元素，人们按晶体管设计者的要求，对这类元素进行了大量的研究工作。同时也建立多种多样的设备以及检测方法来弥补了半导体材料检验手段的空缺。到目前为止，它们仍然是电子信息产业基础材料的最重要的来源方式。其特征表现我们可以认为是以材料为研究对象。但随着通信技术的发展，硅、锗等元素的物理性质由于具有一定的局限，已经远远满足不了电子信息产业的发展需求，因此有着特殊性质的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等材料作为第二代半导体迅速崛起，在军事半导体、光电子等领域占有一席之地。第二代半导体的主要特征为利用外延生长原理，制备千埃以上的单晶薄膜。第三代半导体材料最为突出表现的是GaN、Al