CN117855276B 一种具有结控二极管的沟槽mosfet器件及其制备方法 (湖北九峰山实验室).docxVIP

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  • 2026-04-10 发布于山西
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CN117855276B 一种具有结控二极管的沟槽mosfet器件及其制备方法 (湖北九峰山实验室).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN117855276B

(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202311675872.3

(22)申请日2023.12.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN117855276A

(43)申请公布日2024.04.09

(73)专利权人湖北九峰山实验室

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区九龙湖街9号

(72)发明人陈伟郭飞袁俊成志杰吴阳阳王宽

(74)专利代理机构武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙)42242

专利代理师张文静

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