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掺钙及掺铝近化学计量比铌酸锂晶体：生长工艺与抗光损伤性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

铌酸锂（LiNbO?，简称LN）晶体作为一种重要的人工晶体材料，在光电子领域展现出了卓越的性能和广泛的应用前景。它集多种优异的物理特性于一身，如良好的压电效应、电光效应、非线性光学效应、光折变效应以及光生伏打效应等，这些特性使得铌酸锂晶体成为了制备各类光电子器件的关键材料。在通信领域，基于铌酸锂晶体的电光调制器能够实现高速光信号的调制与传输，极大地推动了光纤通信技术的发展，满足了日益增长的高速数据传输需求；在传感器领域，利用其压电特性制作的传感器，对压力、温度等物理量具有高灵敏度的响应，广