MgB₂超导薄膜与过渡金属氧化物薄膜：结构、特性及应用探索.docxVIP

MgB?超导薄膜与过渡金属氧化物薄膜：结构、特性及应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学不断演进的历程中，MgB?超导薄膜和过渡金属氧化物薄膜以其独特的物理性质和广阔的应用前景，成为凝聚态物理和材料科学领域的研究焦点。这两类薄膜材料的深入研究，不仅为超导物理和电子学的基础研究提供了新的视角，也为未来电子器件的革新和能源技术的进步奠定了基础。

MgB?超导薄膜自2001年被发现具有超导电性以来，凭借其高达39K的超导转变温度，突破了传统BCS理论框架下简单金属间化合物的超导转变温度极限，引起了科学界的广泛关注。与其他超导材料相比，MgB?具有材料成本低、制冷成本低、制备工艺相对简单、晶界透明性好（即高的临界电流密度）以及相干长度大等显著优点。这些特性使得MgB?超导薄膜在超导电子学领域展现出巨大的应用潜力，例如在超导量子干涉仪（SQUID）、超导滤波器、超导约瑟夫森结等器件中具有重要的应用价值，有望大幅提升电子器件的性能和降低能耗，推动信息技术向高速、低耗方向发展。

过渡金属氧化物薄膜则由于其内部存在晶格、电荷、自旋、轨道等多个自由度之间复杂的竞争耦合关系，呈现出丰富多样的物理性能，如高温超导、庞磁电阻、铁电/介电、多铁性、金属-绝缘体相变、光电、热电、光学非线性、重费米子等。这些特性使得过渡金属氧化物薄膜在多个领域具有潜在的应用，如在信息存