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表面修饰对CdSe半导体纳米晶性能的影响及制备表征研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米科技的飞速发展，纳米材料因其独特的物理和化学性质，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为了材料科学领域的研究热点。半导体纳米晶作为一类重要的纳米材料，具有量子尺寸效应、表面效应和介电效应等独特性质，使其在发光材料、光电器件、生物医学等领域有着广泛的应用前景，引发了科研人员的极大关注。

CdSe纳米晶作为典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料，具有较大的激子Bohr半径（约5.6nm）和较强的量子限域效应，这使得它在半导体光学、电学等方面表现出许多新奇的特性。通过精确控制CdSe纳米晶的尺寸