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熔融碱蚀刻GaN材料：机理、影响因素与应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子产业中扮演着至关重要的角色。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其卓越的性能，如宽的直接带隙（约3.4eV）、高的击穿电场（比硅或砷化镓大50倍以上）、高热导率以及强的原子键等，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件等领域展现出了巨大的应用潜力，成为了全球半导体研究的前沿和热点。

在光电子领域，GaN凭借其独特的电学和光学特性，被广泛应用于蓝色/紫外线发光二极管（LED）和激光二极管（LD）的制造。中村修二成功研制出基于GaN的高亮度