兰州大学现代材料研究方法第12讲 X射线光电子谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES).pptVIP

*XPS??X射线光电子谱仪的能量校准能量坐标标定?AlK?MgK?Cu3pAu4f7/2Ag3d5/2CuL3MMCu2p3/2AgM4NN75.14?0.0283.98?0.02368.27?0.02567.97?0.02932.67?0.021128.79?0.0275.13?0.0284.00?0.01368.29?0.01334.95?0.01932.67?0.02895.76?0.02Seah给出的结合能标定值*XPS??X射线光电子谱仪的能量校准荷电效应用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用。*XPS??X射线光电子谱仪的能量校准荷电效应考虑荷电效应有：其中ES=VS?e为荷电效应引起的能量位移，使得正常谱线向低动能端偏移，即所测结合能值偏高。荷电效应还会使谱锋展宽、畸变，对分析结果产生一定的影响。*XPS??X射线光电子谱仪的能量校准荷电效应荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关。实际工作中