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- 2026-04-13 发布于四川
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复习;第8章存储器和可编程逻辑器件简介;8.1半导体存储器;8.1.1随机存取存储器(RAM);1.RAM的结构和读写原理;①存储矩阵;②地址译码器
行地址译码器:输入8位行地址码,输出256条行选择线(用x表示)
列地址译码器:输入4位列地址码,输出16条列选择线(用Y表示);③读写控制电路;图8-2RAM存储矩阵的示意图;(2)RAM的读写原理
(以图8-1为例);若此时R/W=1,则执行读操作,将所选存储单元中的数据送到I/O端上。;(3)RAM的存储单元按工作原理分为:
静态存储单元:利用基本RS触发器存储信息。保存的信息不易丢失。
动态存储单元:利用MOS的栅极电容来存储信息。由于电容的容量很小,以及漏电流的存在,为了保持信息,必须定时给电容充电,通常称为刷新。;2.静态读写存储器(SRAM)集成电路6264简介;表8-16264的工作方式表;存储器的应用;例:将256×1的RAM扩展为256×8的RAM。
将8块256×1的RAM的所有地址线和CS(片选线)分别对应并接在一起,而每一片的位输出作为整个RAM输出的一位。;256×8RA
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