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- 2026-04-14 发布于江西
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PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存储器比较
PROM、EEPROM、FLASH的总结性区分
EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floatinggatetransister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gatetunelingoxidetransister)及一个附加的Transister组成,因为FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,
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