CN119364804B 一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法 (湖南大学).docxVIP

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  • 2026-04-13 发布于山西
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CN119364804B 一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法 (湖南大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119364804B

(45)授权公告日2025.05.20

(21)申请号202411535150.2

(22)申请日2024.10.30

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119364804A

(43)申请公布日2025.01.24

(73)专利权人湖南大学

地址410082湖南省长沙市岳麓区麓山南

路2号

(72)发明人梁世维王俊米卢陈家祺

(74)专利代理机构北京知艺互联知识产权代理

有限公司16137

专利代理师孟晨光

(51)Int.Cl.

H10D

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