2025年中国光电探测器芯片行业产业链、竞争格局及重点企业分析.pdfVIP

2025年中国光电探测器芯片行业产业链、竞争格局及重点企业分析.pdf

2025年中国光电探测器芯片行业产业链、竞争格局及重点企业分析

光电探测器芯片行业内广泛称为光电二极管，能够检测光信号并完成光信号向

电信号的转换。光探测过程的基本机理是光吸收，当入射光子的能量超过禁带

能量时，在耗尽区每次吸收一个光子将产生一个电子-空穴对，发生受激吸收。

在PN结施加反向电压的情况下，受激吸收过程生成的电子-空穴对在电场作用

下分别离开耗尽区，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，空穴和从负电极进入

的电子复合，电子则离开N区进入正电极，从而在外电路形成光生电流。当入

射光功率变化时，光生电流也随之线性变化，从而把光信号转变成电流信号。

主要类型有PN二极管探测器芯片（PIN）、雪崩二极管探测器芯片（APD）、硅光

电倍增管芯片（SiPM）和单光子雪崩二极管芯片（SPAD）。

光电探测器芯片产业链上游主要涉及原材料和设备供应。原材料包括磷化铟、

砷化镓等衬底材料，以及工业气体、封装材料和金属靶材等；设备涵盖光刻

机、刻蚀机、外延设备等，这些上游环节技术壁垒高，部分关键材料和设备依

赖进口。中游是光电探测器芯片的设计、制造与封装环节，不同类型的探测器

芯片（如PIN、APD等）在此诞生。下游则是广泛的应用领域，包括光通信中实

现光信号检测与转换，为高速数据传输提供基础；在激光雷达里助力环境感