CN120111898A 一种基于cesl绝缘层的高容值mip电容结构的制备方法 (陕西电子芯业时代科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-15 发布于重庆
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CN120111898A 一种基于cesl绝缘层的高容值mip电容结构的制备方法 (陕西电子芯业时代科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120111898A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510182324.X

(22)申请日2025.02.19

(71)申请人陕西电子芯业时代科技有限公司

地址710000陕西省西安市高新区锦业路

125号西安半导体产业园A座17层1713

室

(72)发明人陈晓宇王淼张国伟杨柯

(74)专利代理机构北京天盾知识产权代理有限

公司11421

专利代理师刘桐

(51)Int.Cl.

H10D1/68(2025.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要

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