1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

CN120028666A 一种SiC MOS器件的稳定性检测方法 （贵州芯际探索科技有限公司）.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.43万字
  • 约 18页
  • 2026-04-16 发布于重庆
  • 举报

CN120028666A 一种SiC MOS器件的稳定性检测方法 （贵州芯际探索科技有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120028666A

    (43)申请公布日2025.05.23

    (21)申请号202510177715.2

    (22)申请日2025.02.18

    (71)申请人贵州芯际探索科技有限公司

    地址550000贵州省贵阳市花溪区燕楼镇

    燕楼105号厂房

    (72)发明人郝乐李钢常佳峻张洪叶

    孙雅涵

    (74)专利代理机构北京季诺知识产权代理事务

    所(普通合伙)16245

    专利代理师任真真

    (51)Int.Cl.

    G01R31/26(2020.01)

    权利要求书2页说明书6页附图9页

    (54)发明名称

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >