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CN119403124A 半导体结构及其制备方法 （长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403124A 半导体结构及其制备方法 （长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119403124A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202410427091.0

    (22)申请日2024.04.09

    (71)申请人长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司

    地址100176北京市大兴区北京经济技术

    开发区景园北街2号52幢5层501-10

    (72)发明人宋增超

    (51)Int.Cl.

    H10B12/00(2023.01)

    权利要求书2页说明书11页附图8页

    (54)发明名称

    半导体结构及其制备方法

    (57)摘要

    CN119403124A一种半导体结构及其制

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