HfO?基双元氧化物薄膜:制备工艺、性能关联及激光领域应用探索
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代光学和电子领域,薄膜材料扮演着举足轻重的角色,其中HfO?基双元氧化物薄膜凭借其独特的物理性质,成为研究的焦点之一。HfO?,即氧化铪,是一种具有高介电常数、较高的硬度和良好热稳定性的无机化合物。在电子工业中,随着半导体器件尺寸不断缩小,传统的二氧化硅(SiO?)绝缘材料因其较低的介电常数,难以满足进一步降低功耗和提高集成度的需求。HfO?具有比SiO?更高的介电常数,能够有效减少栅极电容漏电,提高晶体管的性能和集成度,因此被视为替代SiO?作为金属-氧化物-半导体场效应晶体
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