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有机铁电非挥发性存储器件：原理、进展与挑战

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据的产生、存储与处理规模呈爆发式增长。从智能手机、平板电脑等消费电子产品，到数据中心、人工智能服务器等大型设备，各类应用场景对存储器件的性能提出了严苛要求。传统的存储器件，如动态随机存取存储器（DRAM）虽具备较高的读写速度，但属于挥发性存储器，断电后数据丢失；闪存（NANDFlash）作为目前广泛应用的非挥发性存储器件，存在写入速度慢、可擦写次数有限等瓶颈，难以满足未来高速、大容量、低功耗以及高可靠性存储的需求。

有机铁电非挥发性存储器件作为一种新兴的存储技术，展现出诸多传统存储器件