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半导体晶圆减薄工艺技师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.晶圆减薄最常用的两步法工艺是________和化学机械抛光（CMP）。

2.晶圆减薄的核心目的之一是提高________密度（如3DIC堆叠）。

3.粗磨阶段常用的研磨盘材质是________。

4.CMP抛光液中最常用的磨料是________。

5.TSV工艺中减薄的主要作用是暴露________。

6.研磨过程中产生的表面缺陷层称为________。

7.TSV工艺中减薄后晶圆的典型厚度范围是________μm。

8.抛光步骤的主要作用是去除________和降低表面粗糙度。

9.减薄设备的核心部件包括研磨头、载盘和________。

10.3DIC中减薄可缩短芯片间的________长度，降低功耗。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种不是晶圆减薄常用方法？

A.机械研磨B.CMPC.离子注入D.干法刻蚀

2.晶圆减薄后最薄可达到的量级是？

A.10μmB.50μmC.100μmD.200μm

3.研磨损伤层主要通过哪种工艺去除？

A.化学清洗B.CMP抛光C.干法刻蚀D.离子注入

4.TSV工艺减薄的核心目的是？

A.降低成本B.暴露TSV通孔C.提高散热D.增加强度

5.粗磨常用的磨料是？

A.二氧化硅B.氧化铝C.碳化硅D.氮化硅

6.研磨压力过大最可能导致？

A.晶圆破裂B.损