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掺铒光纤研发工程师考试试卷及答案

掺铒光纤研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.掺铒光纤中铒离子（Er3?）的基态能级符号是______。

2.EDFA的核心增益介质是______。

3.掺铒光纤常用泵浦波长有980nm和______nm。

4.MCVD代表______化学气相沉积。

5.掺铒光纤主要增益波长集中在______nm波段。

6.铒离子浓度过高会导致______，降低增益效率。

7.光纤数值孔径（NA）反映其______能力。

8.比1480nm泵浦噪声系数更低的波长是______nm。

9.掺铒光纤拉制时预制棒加热温度约______℃（合理范围）。

10.掺铒光纤按结构可分为单模、多模和______光纤。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.掺铒光纤主要增益波长是？

A.850nmB.1310nmC.1550nmD.1625nm

2.EDFA常用泵浦源是？

A.红光LEDB.980nm半导体激光器C.1064nm固体激光器D.紫外灯

3.OVD工艺指？

A.外部气相沉积B.内部气相沉积C.轴向气相沉积D.等离子体沉积

4.980nm泵浦使铒离子从基态跃迁至______能级？

A.4I15/2B.4I13/2C.4I11/2D.4F7/2

5.降低EDFA噪声系数的方法是？

A.增加泵浦功率B.缩短光纤长度C.使用980nm泵浦D.提高铒