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突破效率瓶颈：AlGaN基深紫外半导体发光器件结构优化策略.pdfVIP

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  • 2026-04-20 发布于河北
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突破效率瓶颈：AlGaN基深紫外半导体发光器件结构优化策略.pdf

    突破效率瓶颈：AIGaN基深紫外半导体

    发光器件结构优化策略

    一、引言

    1.1研究背景意义

    随着科技的飞速发展，半导体发光器件在众多领域展现出了巨大的应用潜力。其中，AIGaN

    基深紫外半导体发光器件以其独特的优势，成为了研究的热点。AIGaN基深紫外半导体发光

    器件可发射波长在200-365nm的深紫外光，在杀菌消毒、生物医疗、环境监测、光通信等

    领域具有广泛的应用前景。在杀菌消毒领域，深紫外光能够破坏微生物的DNA或RNA结

    构，从而达到高效杀菌消毒的目的，相较于传统的化

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