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- 2026-04-21 发布于江西
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2025年电子元器件设计与选型手册
第1章
2025年主流器件选型趋势与预测
1.1功率半导体向高效化演进路线图
在2025年的全球功率半导体选型中，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）器件将全面取代传统的硅基器件作为高压、高频应用的标配。选型工程师需重点关注GaNHEMT在250V及以上电压等级下的击穿电压提升，以及SiCMOSFET在1200V及以上电压等级下的导通电阻（Rds(on））降低。具体到器件参数，2025年主流SiCMOSFET的Rds(on)值将突破4mΩ，而GaN器件的开关频率将轻松超越1MHz，这使得前端驱动电路的功率
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