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笔记本电源管理用双沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-04-23 发布于北京
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笔记本电源管理用双沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

    N1997年2月

    NDH8504P道

    双P沟增强型场效应晶体管

    概述特性

    TM‑2.7A，‑30V。R=0.07@V=‑10VR

    SuperSOT‑8P沟道增强型功率场效应晶体管采用DS(ON)GS

    =0

    DS(ON).115@V=‑4.5V。采用铜引线框架的

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