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CN119421486A 半导体装置结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-22 发布于山西
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CN119421486A 半导体装置结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119421486A

    (43)申请公布日2025.02.11

    (21)申请号202411064121.2

    (22)申请日2024.08.05

    (30)优先权数据

    18/239,9992023.08.30US

    (71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

    (72)发明人陈昱宇潘正扬邱雅文

    (74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003

    专利代理师李南山

    (51)Int.Cl.

    H10D84/85(2025.01)

    H10D84/03(2025.01)

    权利要

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