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CN119421407A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-22 发布于山西
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CN119421407A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119421407A

    (43)申请公布日2025.02.11

    (21)申请号202310938854.3

    (22)申请日2023.07.26

    (71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人侯俊安吴小鹏胡洋张家云张楠徐坤

    (51)Int.Cl.

    H10B12/00(2023.01)

    H01L23/544(2006.01)

    权利要求书2页说明书11页附图10页

    (54)发明名称

    半导体结构及

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