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CN120033143A 半导体器件的薄膜结构及其制备方法 （上海积塔半导体有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-04-23 发布于重庆
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CN120033143A 半导体器件的薄膜结构及其制备方法 （上海积塔半导体有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120033143A

    (43)申请公布日2025.05.23

    (21)申请号202510207697.8

    (22)申请日2025.02.24

    (71)申请人上海积塔半导体有限公司

    地址201306上海市浦东新区中国（上海）

    自由贸易试验区临港新片区云水路

    600号

    (72)发明人杨明阳黎明晋东坡罗夏

    李钊黄永彬

    (74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

    公司44224

    专利代理师杨明莉

    (51)Int.Cl.

    H01L21/768(2006.01)

    H01L23/522(2006.01)

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