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半导体物理学试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.半导体硅的晶体结构属于：

A.六方密堆积

B.体心立方

C.面心立方

D.金刚石结构

2.在本征半导体中，载流子主要来源于：

A.杂质电离

B.晶格振动

C.本征激发

D.表面态

3.N型半导体中，多数载流子是：

A.空穴

B.电子

C.正离子

D.负离子

4.施主杂质在半导体中提供：

A.空穴

B.电子

C.受主能级

D.复合中心

5.费米能级是：

A.导带顶的能量

B.价带底的能量

C.概率为50%的能级被电子占据时的能量

D.禁带中央的能量

6.在一定温度下，本征半导体的载流子浓度主要取决于：

A.掺杂浓度

B.禁带宽度

C.载流子迁移率

D.晶格常数

7.对于非简并半导体，电子在导带中的状态密度函数g_c(E)正比于：

A.(E-E_c)^0

B.(E-E_c)^(1/2)

C.(E-E_c)^1

D.(E-E_c