静电感应晶体管(SIT).ppt

五、其它新型电力电子器件;3）原理：SIT为常开器件，即栅源电压为零时，SIT导通；当加上负栅源电压UGS时，栅源间PN结产生耗尽层。随着负偏压UGS的增加，其耗尽层加宽，漏源间导电沟道变窄。当UGS=UP(夹断电压)时，导电沟道被耗尽层所夹断，SIT关断。

SIT的漏极电流ID不但受栅极电压UGS控制，同时还受漏极电压UDS控制。;4-5其它新型电力电子器（SITH）;1、SITH的工作原理

1）结构：在SIT的结构基础上再增加一个P+层即形成SITH的元胞结构；三极：阳极A、阴极K、栅极G。;栅极负压-UGK可控制阳极电流关断，已关断的

SITH，A-K间只有很小的漏电流存在。

SITH为场控双极器件，其动态特性比GTO优越。其

通态电阻比SIT小、压降低、电流大，但因器件内有大量

的存储电荷，所以其关断时间比SIT要长、工作频率要低。;4-5其它新型电力电子器（MCT）;在应用方面，美国西屋公司采用MCT开发的10kW高频

串并联谐振DC-DC变流器，功率密度已达到6.1W/cm3。美

国正计划采用MCT组成功率变流设备，建设高达500KV

的高压直流输电HVDC设备。国内的东南大学采用SDB键

合特殊工艺在实验室制成了100mA/100VMCT样品；西

安电力电子技术研究所利用国外进口厚外延硅片也试制

出了9A/300VMC