CN120015617A 凹槽的刻蚀方法 (华虹半导体(无锡)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-23 发布于重庆
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CN120015617A 凹槽的刻蚀方法 (华虹半导体(无锡)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120015617A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510213962.3

(22)申请日2025.02.25

(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司

地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路

30号

申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

(72)发明人董俊金佩张其学王雷

宋振伟张守龙

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211

专利代理师戴广志

(51)Int.Cl.

H01L21/308(2006.01)

权利要求书1页说明

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