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2026长鑫存储工艺设备岗在线笔试历年真题及答案

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.以下哪种工艺主要用于在晶圆表面形成精细图案？A.蚀刻B.光刻C.沉积D.离子注入

2.干法蚀刻中常用的等离子体源类型不包括？A.ICPB.RIEC.ECRD.湿法腐蚀

3.PECVD的中文全称是？A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.等离子体增强化学气相沉积D.原子层沉积

4.真空系统中用于获得高真空的泵是？A.机械泵B.分子泵C.罗茨泵D.干泵

5.晶圆清洗中常用的化学品不包括？A.HFB.H2SO4C.NaOHD.酒精

6.离子注入的主要目的是？A.沉积薄膜B.掺杂杂质C.蚀刻图案D.抛光表面

7.CMP工艺的中文名称是？A.化学机械抛光B.物理机械抛光C.化学蚀刻D.机械研磨

8.工艺设备预防性维护的英文缩写是？A.PMB.CMC.EMD.FM

9.以下哪种气体常用于干法蚀刻硅材料？A.O2B.ArC.CF4D.H2

10.光刻工艺中曝光后需要进行的步骤是？A.显影B.涂胶C.清洗D.烘干

二、填空题（总共10题，每题2分）

1.PECVD的中文全称是______。

2.蚀刻工艺中，______是指对目标材料的蚀刻速率与对掩模材料的蚀刻速率之比。

3.真空度的常用单位是______（写出一种即可）。

4.当前半导体行业主流