半导体材料课件.ppt

表 6.8 砷化镓的力学热学性质 表 6.9 GaAs 的半导体性质 ? 砷化镓的禁带宽度比 Si 、 Ge 大，电子迁移率比 Si 、 Ge 高，而且具有直接禁带。 ? 从 1962 年用 GaAs 制成激光二极管、 1963 年 发现耿氏效应（ Gunn effect ）以来， GaAs 的材料与器件得到了很大的发展。 ? 于 1972 年用分子束外延法制出了 GaAs/GaAlAs 的超晶格材料，使 GaAs 的应用又上了一 个新的台阶。 ? 已批量生产的砷化镓材料有 GaAs 掺杂单晶、半绝缘单晶（ SI-GaAs ），汽相外延片、液 相外延片等，是制作微波器件、超高速集成电路、光电子器件的重要材料。 GaAs 材料的制备比硅、锗困难 。其原因： 一是由于熔点下砷的分解压接近一个大气压； 二是金属在高温下性质活泼，易与石英等坩埚材料起化学反应而造成材料的污 染并使成晶困难； 三是化学配比难于控制。 所有的 GaAs 单晶都是用熔体生长法制成的 。 生产的方法主要为水平定向结晶法和液封直拉法。这两种方法都可以先合成多 晶再进行单晶生长，也可在不经更换容器的条件下，先合成再拉晶。 水平法（见 5.3.6 节）： 是在抽真空的石英管内，一端放置盛高纯 Ga 的石英舟，另一端放高纯砷。 Ga 端 处于高温区， As 端处于低温区。升温后， As 扩散到 Ga 中形成 GaAs 。当合成反应 达到平衡后，再以定向结晶的方式进行生长，生长速率为 3~12mm/h 。在整个晶 体生长过程中， As 端温度保持在 610~620 o C ，以保证 As 的平衡压力。 此法的优点是设备简单，生长系统中温度梯度较小，可制备不同掺杂的位错密度 较低的单晶。 缺点是截面呈“ D” 型，不能制备非掺杂半绝缘 GaAs 。 液封直拉法（见 5.3.4 节）： 一般是在高压单晶炉内进行的。所用的坩埚材质为石英或热解氮化硼 (PBN) ，后者可 防止 Si 的污染。可在炉内进行直接合成（原位合成），合成所需压力 5-7MPa ，温度 820 o C 左右。拉晶是在 1~2MPa 压力下进行的。 此法的优点是单晶截面为圆形，可生长非掺杂的半绝缘 GaAs ； 缺点是单晶的位错密度较高（一般在 104cm -2 范围），设备复杂。 其他尚在研究开发的方法有垂直梯度凝固法 (VGF) 、和气氛控制直拉法（ VCZ ）等。 外延生长的方法比较多，其中重要的有 : 化学汽相外延，金属有机化学汽相外延、 液相外延、分子束外延、化学分子束外延、离子束外延等 。表 5.5 列出了主要的外 延方法及其应用。 表 5.5 外延方法及其应用 5.5.2 化学汽相外延 利用气相化学反应进行沉积的外延生长方法。其原理如图 5.26 所示。 1. 汽相外延的化学反应 化学还原一般多利用元素的卤族化合物作源与氢反应生长所需的产物，如： SiCl4 （气） + 2H2 （气）→Si（固） + 4HCl （气） SiHCl3 （气） + H2 （气） → Si （固） + 3HCl （气） 2H2 （气） + 4GaCl （气） + 4As （气） →4GaAs （固） + 4HCl （气） 歧化反应 2GeI4 （气） → Ge( 固） + GeI3 （气） GaCl （气） + 4As （汽） → 4GaAs （固） +2GaCl2 （气） 热分解 SIH4 （气） →Si （固） + 2H2 （气）） SiH2Cl2 （气） → Si （固） + 2HCl （气） 气体分配系统 高频分配线圈 尾气 石英管 衬底 基座 腐 蚀 气 掺 杂 剂 源 载 体 图 5.26 汽相外延 2. 设备 从图 5.26 中可以看出，化学汽相外延的设备可分为三个主要部分即气体分配系统、 加热系统、反应器。气体分配系统多用金属或塑料的管线，为了控制流量，多采用 质量流量控制器（ mass-flow controller ）。加热方式有电阻加热、高频感应加热、 灯辐射加热等。 气体分配系统 高频分配线圈 尾气 石英管 衬底 基座 腐 蚀 气 掺 杂 剂 源 载 体 图 5.26 汽相外延 反应器的结构在外延中的作用非常关键，图 5.27 示出了几种有代表性的结构。其中要考虑到受 热均匀，输入气体分布均匀，防止颗粒沉降，产量大等，所以衬底要旋转，衬底尽量处于垂直 状态，桶式在这些方面具有明显的优越性。 水冷 石墨 高频加热 水平式反应器 石墨 圆桶式反应器 圆盘式反应器 图 5.27 几种化学汽相外延反应器示意图 汽相外延的工艺参数有较广泛的选择，包括气体源的种类、反应室的压力、气体 流量、衬底的处理、反应温度等。 从产量看，在所有的外延方法中，汽相外延应用最多，主要原因是工艺