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第一章 绪论 1.1 半导体材料的发展简史 1.2 半导体材料的发展趋势 1.3 半导体材料的分类 1.1.1 首次报道半导体 伏特 A. Volta (1745~1827)，意大利物理学家 国际单位制中,电压的单位伏即为纪念他而命名。 1800年，他发明了世界上第一个伏特电池，这是最早的直流电源。从此，人类对电的研究从静电发展到流动电，开拓了电学的研究领域。 他利用静电计对不同材料接地放电，区分了金属，绝缘体和导电性能介于它们之间的“半导体”。 他在给伦敦皇家学会的一篇论文中首先使用了“Semiconductor”（半导体）一词。 1.1.2 半导体的特有性质－负电阻温度系数 法拉第 M. Faraday (1791~1867)，英国英国物理学家、化学家，现代电工科学的奠基者之一。 电容的单位法（拉）即为纪念他而命名。 法拉第发明了第一台电动机，另外法拉第的电磁感应定律是他的一项最伟大的贡献 。 1833年，法拉第就开始研究Ag2S半导体材料，发现了负的电阻温度系数，即随着温度的升高，电阻值下将。 负电阻温度系数是半导体材料的特有性质之一 正、负电阻温度系数 负电阻温度系数 正电阻温度系数 R R T T 1.1.3 半导体的特有性质－光电导效应 1873年，英国史密斯W.R. Smith用光照在硒的表面，发现了硒的光电导效应，它开创了半导体研究和开发的先河。 所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。 光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。 光电导效应是半导体材料的特有性质之二 照片 光电导示意图 1.1.4 半导体的特有性质－整流效应 布劳恩 K.F. Braun (1850~1918)，德国物理学家。 布劳恩与马可尼共同获得1909年度诺贝尔奖金物理学奖。 1874年，他观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导通，这就是半导体的整流效应。 整流效应是半导体材料的特有性质之三 照片 伏安特性 I 电流 V 电压 0 正向 反向 1.1.5 半导体特有性质－光生伏特效应 1876年，英国物理学家亚当斯(W.G. Adams)发现晶体硒和金属接触在光照射下产生了电动势，这就是半导体光生伏打效应。 光生伏特效应最重要的应用就是把太阳能直接转换成电能，称为太阳能电池。 1954年美国贝尔实验室制成了世界上第一个实用的太阳能电池，效率为4%。 光生伏特效应是半导体材料的特有性质之四 照片 光生伏特效应 1.1.6 半导体的特有性质－霍尔效应 1879年，霍尔(E.H. Hall) 在研究通有电流的导体在磁场中受力，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。 “霍尔效应”就是为纪念霍尔而命名的。 利用“霍尔效应”可以测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。 霍尔效应是半导体材料的特有性质之五 照片 霍尔效应示意图 BZ Ix v fB P型半导体薄片：长度为L，宽度为b，厚度为 d 磁场方向 (z方向）与薄片垂直，电流方向为x方向 L b d fE x y z 1.1.7 半导体发展的限制 在1880年就发现了半导体材料的五大特性： 整流效应、光电导效应、负电阻温度效应、光生伏特效应和霍尔效应 但半导体科学却没有取得迅猛的发展，主要原因在于： 1. 半导体材料的不纯 2. 半导体物理理论的不完善 （1）半导体理论的发展背景 首先取得突破的是半导体理论的发展 19世纪末，英国物理学家汤姆生在展望20世纪物理学前景时，他指出在物理学晴朗的天空里出现了两朵令人不安的“乌云”，第一朵“乌云”出现在光的波动理论上，第二朵“乌云”就是黑体辐射。 黑体辐射 被加热的物体开始时会发出红光，随着温度上升，光的颜色逐渐由红变黄又向蓝白色过渡，这种以电磁波的形式向外传递能量的现象就叫热辐射。 为了从理论上总结热辐射规律，19世纪物理学家导出了热辐射物体的能量按发光波长分布的两个公式：维恩公式和瑞利一金斯公式。 然而，这两个公式算出的结果，不是在长波方面就是在短波方面与实验结果不符，物理学家为此伤透了脑筋。 这两朵乌云给物理学界带来了革命风暴，使物理学家发现了“新大陆”——“量子论”和“相对论”，将人类对物质世界的认识向前推进了一大步。 量子论－－－半导体的能带理论密切相关 普朗克的辐射量子说 1900年，普朗克提出辐射量子假说 假定电磁场和物质交换能量是以间断的形式(能量子)实现的，能量子的大小同辐射频率成正比，比例常数称为普朗克常数，从而得出黑体辐射能量分布公式，成功地解释了黑体辐射现象。 （n=1,2,3…..）