2026《LED光提取效率的限制因素概述》1000字.docxVIP

LED光提取效率的限制因素概述

下面主要介绍三种导致GaN基LED光提取效率低的因素：

半导体材料和电极本身吸收损耗

LED材料对光的吸收主要是由金属电极、金属反射镜和有源区吸收引起，在电极下电流的拥挤效应会增加金属电极的吸光，因此可以通过采用厚的窗口层或电流扩散层，使电流均匀分布并增加窗口层透过率；使用电流阻挡层使电流不能直接从金属电极注入窗口层；使用全方位反射镜替代平面金属反射镜等方式减小材料本身的吸收和电流分布不均而产生的吸收损失。

全反射损耗

由于半导体材料与空气间的折射率大而导致有源层发出的光从半导体内部射到空气的临界角很小(约为23.6°)，大部分的光经过全反射后回到介质内部被发光层或电极吸收，只有小部分的光能够辐射到自由空间中。全反射现象主要源于Snell折射定律，这是光线通过半导体与外界媒质的交界面时的基本定律。

n

图2.4空气与半导体界面光学路径

（a垂直入射；b入射角小于临界角；c入射角大于临界角）

如图所示，nGaN为半导体材料的折射率，no为外界空气的折射率。由于nGaN＞no，所以θGaN＜θ0。我们把折射光线与界面平行即

θ

对于在蓝绿光波段的GaN（nGaN=2.4）来说，临界角约为24.6°。当入射角大于临界角时，光线会在介质表面发生全反射而返回到半导体中，因此临界角也成为光的逃逸角。只有当入射角处在逃逸角内的光才可以逸出到空气中，从而形成了顶角