1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子设计

NDC631N N-通道逻辑电平增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.39万字
  • 约 4页
  • 2026-04-24 发布于北京
  • 举报

NDC631N N-通道逻辑电平增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

    N1996年5月预先信息

    NDC631NN沟道逻辑电平增强型场效应晶体管

    一般描述特性

    4A，20V。R=0.06@V=4.5VR=0.

    这些N沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用DS(ON)GSDS(ON)

    National专有的高单元密度DMOS技术制造。这种1@V=2.7V。采用铜引线框架的专有

    GS

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >