CN120164790A 一种基于隔离层阻止氧等离子体刻蚀石墨烯过程中光刻胶变性的方法 （江南大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120164790A

(43)申请公布日2025.06.17

(21)申请号202510216012.6

(22)申请日2025.02.26

(71)申请人江南大学

地址214122江苏省无锡市滨湖区蠡湖大

道1800号

(72)发明人王子坚南海燕周兴雨顾晓峰

肖少庆

(74)专利代理机构苏州市中南伟业知识产权代

理事务所(普通合伙)32257

专利代理师王莎莎

(51)Int.Cl.

H01L21/033(2006.01)

H01L21/027(2006.01)

H01L21/3065(2006.01)