CN120288703A 一种半导体器件制造方法和半导体器件牺牲层刻蚀系统 （浙江芯晟半导体科技有限责任公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120288703A

(43)申请公布日2025.07.11

(21)申请号202510226373.9

(22)申请日2025.02.27

(71)申请人浙江芯晟半导体科技有限责任公司

地址314000浙江省嘉兴市南湖区大桥镇

凌公塘路3556号南湖海创园10号楼

306室

(72)发明人边慧敏孙涛张亮

(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理

有限公司11250

专利代理师陈小玲

(51)Int.Cl.

B81C1/00(2006.01)

B01D19/00(2006.01)

B01D5/00(2006.01)