CN120224727A 基于Si衬底上外延AlGaN-GaN异质结器件及其制备方法 (西安电子科技大学芜湖研究院).pdfVIP

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  • 2026-04-24 发布于重庆
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CN120224727A 基于Si衬底上外延AlGaN-GaN异质结器件及其制备方法 (西安电子科技大学芜湖研究院).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120224727A

(43)申请公布日2025.06.27

(21)申请号202510219167.5H01L21/02(2006.01)

(22)申请日2025.02.26

(71)申请人西安电子科技大学芜湖研究院

地址241002安徽省芜湖市弋江区高新技

术产业开发区科技产业园7号楼

申请人西安电子科技大学

(72)发明人万坤赖鸿燕黄永

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230

专利代理师王萌

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2

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