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铝原子掺杂氧化锌薄膜的制备工艺与性能调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氧化锌（ZnO）薄膜以其独特而卓越的性能，逐渐成为材料科学领域备受瞩目的研究焦点。ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，在室温下展现出约3.37eV的禁带宽度，以及高达60meV的激子束缚能，这些关键参数使得ZnO在众多半导体材料中脱颖而出，具备了一系列独特的物理性质和广泛的应用潜力。从结构角度来看，ZnO薄膜通常呈现出六方纤锌矿结构，这种晶体结构赋予了ZnO薄膜良好的热稳定性和化学稳定性。在六方纤锌矿结构中，锌和氧原子以规则的四面体配位形式排列，构建起一个高度有序的晶体