纳米材料制备与性能评价手册
第1章纳米材料制备工艺与基础理论
1.1气相沉积法制备机理与关键参数
气相沉积法(PVD/CVD)利用物理或化学手段将气态前驱体转化为固态或液态纳米颗粒,其核心机理涉及前驱体分子的吸附、解离、成核与表面扩散。以磁控溅射为例,当高能电子束轰击靶材时,产生高能离子轰击溅射靶材原子,这些原子在基片表面吸附并发生溅射,随后原子在表面迁移并聚集形成纳米团簇,最终通过热分解或还原反应转化为目标纳米材料。关键参数中,电子束功率与气压是决定沉积速率和均匀性的核心变量。例如,在制备高纯度金纳米线时,需将基片温度控制在150-200℃,电子束功率设为200W,气压维持在
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