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N沟道增强型功率MOSFET绝对大额定值与热特性.pdfVIP

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  • 2026-04-27 发布于北京
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N沟道增强型功率MOSFET绝对大额定值与热特性.pdf

    2013年3月

    FQPF13N06L

    .‑通道QFETMOSFET0V,

    10110Ω

    描述特性

    •10.6011010

    这款N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild

    Semiconductor®专有的平面条纹和DMOS技术制造。•低栅极电荷(典型值nC)

    这种先进的MOSFET技术特别优化以降低导通电阻，•低Crss(典型值1pF)

    并卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件•

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