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太阳能发电技术与应用手册

第1章太阳能发电基本原理与物理机制

1.1光伏效应与半导体器件基础

光伏效应的核心在于光照激发半导体中的电子-空穴对，当这些载流子在内建电场作用下分离并移动时，产生可测量的光生电压和光生电流。对于硅基太阳能电池，其本征载流子浓度约为$1.5\times10^{10}\text{cm}^{-3}$，禁带宽度（带隙）$E_g$约为$1.12\text{eV}$，这使得硅在可见光至近红外波段具有优异的光吸收能力。在PN结结构中，P型半导体掺杂磷原子形成多子空穴，N型半导体掺杂硼原子形成多子电子，两者接触面形成耗尽层，此处存在由N区指向P区的内建电场。当光子能量大于$1.12\text{eV}$时，光子被吸收产生电子-空穴对，在内建电场驱动下，电子被推向N区，空穴被推向P区，从而形成光电压。

半导体器件的基础包括PN结、肖特基二极管、金属-半导体接触以及p-n结二极管等结构。这些器件通过控制载流子的注入、复合与收集，实现了从光能到电能的转换。例如，在太阳能电池中，耗尽层宽度通常控制在$1\sim3\text{\mum}$，以确保高量子效率并降低串联电阻。制造过程中，单晶硅通过流延法或Czochralski法生长，将高纯度硅晶体切割成薄片，再通过扩散或离子注入工艺形