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半导体器件生产与检测手册

第1章半导体器件基础理论

1.1半导体物理基本原理

半导体材料（如硅）具有独特的能带结构，其导带底与价带顶之间存在禁带宽度（$E_g$），在室温下禁带宽度约为1.12eV，这使得电子难以自由通过该区域，从而形成绝缘体特性。当温度升高或受到光照时，价带中的电子获得足够能量跃迁至导带，同时在价带留下带正电的“空穴”，电子与空穴的相互作用构成了半导体导电的基础，其电导率$\sigma$由自由载流子浓度$n$和迁移率$\mu$共同决定。

本征载流子浓度$n_i$与禁带宽度$E_g$呈指数关系，遵循公式$n_i=\sqrt{2N_c