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HB4115芯片参数与性能概述.pdfVIP

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  • 2026-04-28 发布于北京
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HB4115芯片参数与性能概述.pdf

    描述产品概览

    HSBB4115是高单元密度的沟槽型P沟道VDS-40V

    MOSFET，为大多数同步降压转换器应用了

    出色的导通电阻和栅极电荷。13mΩ

    RDS(ON),max

    HSBB4115符合RoHS和绿色产品要求，100%ID-39A

    静电放电（EAS）保证，并通过了全面的功能可

    靠性测试。

    PRPAK3*3引脚配置

    极低栅极电荷

    100%静电放电（EAS）保证

    优秀的CdV/dt效果下降

    可用绿色设备

    高级度沟槽技术

    绝对最大额定值

    符号参数

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